三氧化二铟作为重要的透明导电氧化物材料，根据生产工艺和应用场景的不同主要可分为粉末状和薄膜状两大类。粉末状三氧化二铟（In₂O₃）常见于实验室研究和工业原料领域，其纯度通常可达到4N（99.99%）至6N（99.9999%）不等，粒径分布从纳米级（10-100nm）到微米级（1-10μm）均有应用，特别是在制备溅射靶材和传感器材料时需要重点关注颗粒均匀性。

薄膜形态的三氧化二铟更具技术含量，包括磁控溅射法制备的ITO薄膜（掺锡氧化铟）和化学气相沉积法制备的本征氧化铟薄膜。其中ITO薄膜的电阻率可低至10⁻⁴Ω·cm级别，可见光透过率超过85%（波长550nm处测量），是目前触摸屏和液晶显示器的主流材料。而通过脉冲激光沉积（PLD）技术获得的高质量氧化铟薄膜，因其优异的电学性能常用于制备高性能晶体管。

从晶体结构维度来看，三氧化二铟存在立方相（C型）和六方相（H型）两种晶型。立方相是最稳定的存在形式，空间群为Ia3（206号），晶格常数约10.117Å；六方相则属于亚稳态，通常需要在特殊条件下制备，这种晶型在气敏传感器领域表现出更优越的性能响应。研究还发现通过掺杂不同元素（如Sn、Zn、Mo等）可以制备出具有梯度能带结构的氧化铟材料。

波肖门尾图库在特殊应用领域，三氧化二铟还存在多孔结构、纳米线阵列等特殊形貌分类。多孔氧化铟的比表面积可达150m²/g以上，在催化领域效果显著；而垂直生长的氧化铟纳米线阵列（直径20-200nm）因其独特的电子传输特性，成为新型太阳能电池和光电探测器的理想选择。这些特殊结构往往需要通过模板法或水热法等精细控制工艺来制备。