二氧化硅加工工艺的核心在于根据不同应用需求控制纯度与物理形态。高纯度加工通常采用气相沉积法（CVD），将硅源气体（如四氯化硅或硅烷）在高温下（约1000-1500℃）与氧气反应生成纳米级二氧化硅粉末，这种方法可获得纯度达99.999%的电子级产品。而工业级加工则更多采用湿法工艺，通过硅酸钠与酸中和反应生成沉淀二氧化硅（粒径约5-100μm），再经洗涤、干燥获得产品，这种工艺对设备要求较低但纯度控制在99.5%左右。

在特种材料领域，二氧化硅加工需特别关注微观结构控制。溶胶-凝胶法是制备多孔材料的典型工艺，通过控制水解缩聚反应（pH值3-8）和干燥条件（常压或超临界CO₂干燥），可获得比表面积高达800m²/g的气凝胶。烧结工艺则决定着最终产品的密度，当需要制备熔融石英时，需在1700℃以上进行真空烧结以消除气泡，而制备透明陶瓷则需采用热等静压（HIP）技术（压力100-200MPa）来提升光学均匀性。

波肖门尾图库表面改性处理是提升二氧化硅功能性的关键环节。硅烷偶联剂处理（如KH-550、KH-570）能有效改善与有机物的相容性，处理温度通常控制在60-120℃之间。对于医药载体等特殊应用，还需进行羟基化处理（使用等离子体或酸碱处理）来调节表面活性，这项工艺能使表面羟基密度达到5-8个/nm²。值得注意的是，加工过程中粒径分布（D50值）和团聚程度会直接影响最终产品性能，需要采用激光粒度仪和BET比表面积分析仪进行全程监控。