三碲化二铟是一种典型的半导体化合物，其化学式明确揭示了组成元素为铟(In)和碲(Te)。这种材料由两种元素以特定比例结合而成，其中铟作为第13族金属元素提供导电性，碲作为第16族类金属元素贡献半导体特性。在晶体结构中，每两个铟原子会与三个碲原子形成稳定的化学键，这种2:3的比例关系正是其命名的由来。

需要特别关注的是，三碲化二铟的组成元素直接影响其电学性能。铟元素的4d¹⁰5s²5p¹电子构型与碲元素的5s²5p⁴电子排布，在形成化合物时会产生独特的能带结构（带隙约1.0eV）。这种元素组合使得材料在红外探测器和热电转换器件中表现出色，特别是碲元素的高原子序数赋予了化合物较强的自旋轨道耦合效应。

在实际应用中，元素纯度对材料性能至关重要。高纯铟(99.999%)和碲(99.999%)是制备优质三碲化二铟的前提，任何微量的杂质元素如铜(Cu)或氧(O)都会显著改变载流子浓度(10¹⁶-10¹⁸cm⁻³)。通过精确控制元素配比和生长条件，可以获得具有特定电学参数（霍尔迁移率300-800cm²/V·s）的功能材料。