二碲化钼加工工艺的核心在于精确控制晶体生长与薄膜制备过程。这种层状半导体材料（带隙约1.0eV）通常采用化学气相传输法(CVT)制备单晶，将高纯钼粉和碲粒密封在石英管中，通过温度梯度（生长端650℃-源端750℃）实现物质传输。需要特别注意的是反应容器真空度需保持10^-3Pa以上，任何氧化都会导致杂质相MoO3的生成。

波肖门尾图库在薄膜制备领域，分子束外延(MBE)和化学气相沉积(CVD)是两种主流工艺。MBE法能在超高真空环境(10^-8Pa)下实现原子级精度沉积，但设备成本较高；而CVD法更适用于大面积制备，通常采用MoCl5和Te粉末作为前驱体，在载气(H2/Ar混合)氛围中发生表面反应，衬底温度需严格控制在450-550℃范围内。实验表明当碲钼比例达到2.5:1时，可获得理想的化学计量比薄膜。

波肖门尾图库后期加工中，电子束光刻(EBL)与反应离子刻蚀(RIE)是制作微纳器件的关键技术。由于二碲化钼的脆弱性，刻蚀时需采用低功率SF6/Ar等离子体(功率50W，气压10mTorr)，过度轰击会导致边缘出现非晶化损伤。对于厚度小于10nm的超薄样品，可以考虑机械剥离法获得高质量纳米片，但成品率与操作者的经验密切相关。

波肖门尾图库近年来发展的液相剥离技术展现出新的可能性，将块体材料分散在N-甲基吡咯烷酮(NMP)等溶剂中超声处理，配合离心分离可获得单层悬浮液。不过这种方法面临的挑战是如何控制溶剂残留对器件性能的影响，特别是介电常数较高的溶剂可能导致载流子迁移率下降两个数量级。